Normal view
MARC view
Исследование влияния параметров базы на переходные процессы кремниевых диодов диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук С. А. Зайдман ; науч. рук. Гаман В. И. ; Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева
Material type: TextPublication details: Томск [б. и.] 1966Description: 207 л. илSubject(s): диссертации | полупроводниковые приборы | диоды кремниевые | переходные процессы | уровни инъекций низкие | уровни инъекций высокие | переключения направлений | нестационарные процессы | время жизни носителей заряда | дислокации в полупроводниках | центры рекомбинаций | термозакалка кремния | облучение быстрыми нейтронами | отжиг радиационных дефектов | поверхностные свойства кремния | скорость поверхностной рекомбинации | переходные характеристики | расчетные формулы | геометрические формы диодов | температурная зависимость | дефекты объемные | инерционность диодовItem type | Current library | Call number | Status | Date due | Barcode | |
---|---|---|---|---|---|---|
Выдается в читальный зал | Научная библиотека ТГУ Книгохранилище | 905625 (Browse shelf(Opens below)) | На оцифровке | 13820000852918 |
Библиогр.: л. 195 - 204
There are no comments on this title.
Log in to your account to post a comment.