Normal view
MARC view
Исследование влияния параметров базы на переходные процессы кремниевых диодов (Record no. 344176)
[ view plain ]
000 -Маркер записи | |
---|---|
Контрольное поле постоянной длины | 02694nam a2200505 c 4500 |
001 - Контрольный номер | |
Контрольное поле | vtls000465438 |
005 - Дата корректировки | |
Контрольное поле | 20210910130547.0 |
008 - Кодируемые данные | |
Контрольное поле постоянной длины | 131204s1966 ru a f bm 000 0 rus d |
035 ## - Системный контрольный номер | |
Системный контрольный номер | to000465438 |
040 ## - Источник каталогиз. | |
Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
Код языка каталог. | rus |
Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
080 ## - Индекс УДК | |
Индекс УДК | 621.382.2(043.3) |
080 ## - Индекс УДК | |
Индекс УДК | 537.311.322(043.3) |
100 1# - Автор | |
Автор | Зайдман, Софья Ароновна |
9 (RLIN) | 403971 |
245 10 - Заглавие | |
Заглавие | Исследование влияния параметров базы на переходные процессы кремниевых диодов |
Продолж. заглавия | диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук |
Ответственность | С. А. Зайдман ; науч. рук. Гаман В. И. ; Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева |
260 ## - Выходные данные | |
Место издания | Томск |
Издательство | [б. и.] |
Дата издания | 1966 |
300 ## - Физическое описание | |
Объем | 207 л. |
Иллюстрации/тип воспроизводства | ил. |
504 ## - Библиография | |
Библиография | Библиогр.: л. 195 - 204 |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | диссертации |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | полупроводниковые приборы. |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | диоды кремниевые |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | переходные процессы |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | уровни инъекций низкие |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | уровни инъекций высокие |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | переключения направлений |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | нестационарные процессы. |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | время жизни носителей заряда |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | дислокации в полупроводниках |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | центры рекомбинаций |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | термозакалка кремния |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | облучение быстрыми нейтронами |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | отжиг радиационных дефектов |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | поверхностные свойства кремния |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | скорость поверхностной рекомбинации |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | переходные характеристики |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | расчетные формулы. |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | геометрические формы диодов |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | температурная зависимость |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | дефекты объемные |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | инерционность диодов |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Гаман, Василий Иванович |
Дата | 1929-2021 |
Код отношения | ths |
9 (RLIN) | 68547 |
710 2# - Другие организации | |
Организация/юрисдикция | Томский государственный университет. |
9 (RLIN) | 53646 |
852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
Код организации-хранителя | RU-ToGU |
Код страны | ru |
999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
biblionumber (Koha) | 344176 |
Не выдается | Отсутствует на месте | Поврежден | Исходное место хранения | Местоположение | Дата поступления | Расстановочный шифр | Штрих-код | Класс экземпляра |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
На оцифровке | Научная библиотека ТГУ | Книгохранилище | 04/04/2021 | 905625 | 13820000852918 | Выдается в читальный зал |