Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Image from Google Jackets
Normal view MARC view

Численный анализ кинетики химических реакций в аргон-силановой плазме тлеющего разряда А. А. Ляхов, В. И. Струнин

By: Ляхов, Анатолий АлександровичContributor(s): Струнин, Владимир ИвановичMaterial type: ArticleArticleOther title: Numerical analysis of the kinetics of chemical reactions in an argon-silane plasma of the glow discharge [Parallel title]Subject(s): силановая плазма | процессы переноса в химически активной плазме | аморфный кремнийGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online In: Вестник Томского государственного университета. Математика и механика № 50. С. 79-89Abstract: Путем численного решения уравнений диффузии для нейтральных компонентов с учетом протекания химических реакций в газовой фазе проведено моделирование состава аргон-силановой плазмы тлеющего разряда. Анализируется вклад наиболее значимых химических реакций в кинетику образования и гибели различных компонентов плазмы. Исследуется кинетика реагентов в зависимости от времени пребывания рабочего газа в разрядной зоне. Обсуждается вопрос о количестве компонентов, включаемых в модель. Показано, что для интервалов времени t ≤ 10−2 с компоненты SinHx (n ≥ 3) не существенны для моделирования химической кинетики пленкообразующих радикалов.
Tags from this library: No tags from this library for this title. Log in to add tags.
No physical items for this record

Библиогр.: 9 назв.

Путем численного решения уравнений диффузии для нейтральных компонентов с учетом протекания химических реакций в газовой фазе проведено моделирование состава аргон-силановой плазмы тлеющего разряда. Анализируется вклад наиболее значимых химических реакций в кинетику образования и гибели различных компонентов плазмы. Исследуется кинетика реагентов в зависимости от времени пребывания рабочего газа в разрядной зоне. Обсуждается вопрос о количестве компонентов, включаемых в модель. Показано, что для интервалов времени t ≤ 10−2 с компоненты SinHx (n ≥ 3) не существенны для моделирования химической кинетики пленкообразующих радикалов.

There are no comments on this title.

to post a comment.