Normal view
MARC view
Закономерности образования структурных дефектов в полупроводниках А2В6 Ю. Ю. Логинов, Пол Д. Браун, Кен Дьюроуз
Material type: TextPublication details: М. Логос 2003Description: 302, [2] с. рисISBN: 594010214XSubject(s): полупроводники | структурные дефекты | легированные кристаллы | преципитация донорных примесей | преципитация акцепторных примесей | эпитаксиальные структуры | дефектообразование | кристаллы бинарные | кристаллографическая полярность | гетероэпитаксиальные структуры | эпитаксиальные пленки | электронное облучение | ионное облучение | электронное облучение с надпороговыми энергиями | моделирование дефектообразования | проводимости локальная инверсия | монокристаллы полупроводников | термообработка в вакууме | термообработка в атмосфере | полупроводниковые сверхструктуры | выращивание монокристаллов | анизотропия | полупроводники широкозонные | Бриджмена метод выращивания кристаллов | Пайпера метод выращивания кристаллов | Полича метод выращивания кристалловItem type | Current library | Call number | Copy number | Status | Date due | Barcode | |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Выдается в читальный зал | Научная библиотека ТГУ Книгохранилище | 1-921229к 53 (Browse shelf(Opens below)) | 1 | Available | 13820000477619 |
Библиогр.: с. 282-302
There are no comments on this title.
Log in to your account to post a comment.