Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

Закономерности образования структурных дефектов в полупроводниках А2В6 (Record no. 201393)

MARC details
000 -Маркер записи
Контрольное поле постоянной длины 02823nam a2200553 4500
001 - Контрольный номер
Контрольное поле vtls000198556
005 - Дата корректировки
Контрольное поле 20210922010943.0
008 - Кодируемые данные
Контрольное поле постоянной длины 050513s2003 ru a f b 000 0 rus d
020 ## - Индекс ISBN
ISBN 594010214X
035 ## - Системный контрольный номер
Системный контрольный номер 0203-66060
040 ## - Источник каталогиз.
Служба первич. каталог. RU-ToGU
Код языка каталог. rus
Служба, преобразующая запись RU-ToGU
Правила каталог. PSBO
080 ## - Индекс УДК
Индекс УДК 537.322:539.23
100 1# - Автор
Автор Логинов, Юрий Юрьевич.
9 (RLIN) 280244
245 10 - Заглавие
Заглавие Закономерности образования структурных дефектов в полупроводниках А2В6
Ответственность Ю. Ю. Логинов, Пол Д. Браун, Кен Дьюроуз
260 ## - Выходные данные
Место издания М.
Издательство Логос
Дата издания 2003
300 ## - Физическое описание
Объем 302, [2] с.
Иллюстрации/тип воспроизводства рис.
504 ## - Библиография
Библиография Библиогр.: с. 282-302
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова полупроводники.
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова структурные дефекты.
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова легированные кристаллы.
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова преципитация донорных примесей.
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова преципитация акцепторных примесей.
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова эпитаксиальные структуры.
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова дефектообразование.
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова кристаллы бинарные.
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова кристаллографическая полярность.
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова гетероэпитаксиальные структуры.
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова эпитаксиальные пленки.
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова электронное облучение.
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова ионное облучение.
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова электронное облучение с надпороговыми энергиями.
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова моделирование дефектообразования.
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова проводимости локальная инверсия.
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова монокристаллы полупроводников.
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова термообработка в вакууме.
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова термообработка в атмосфере.
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова полупроводниковые сверхструктуры.
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова выращивание монокристаллов.
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова анизотропия.
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова полупроводники широкозонные.
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова Бриджмена метод выращивания кристаллов.
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова Пайпера метод выращивания кристаллов.
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова Полича метод выращивания кристаллов.
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Браун, Пол Д.
9 (RLIN) 280245
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Дьюроуз, Кен.
9 (RLIN) 280246
852 4# - Местонахождение единицы хранения
Код организации-хранителя RU-ToGU
Полочный индекс 1-921229к
Авторский знак 537
Код страны ru
999 ## - Системные контрольные номера (Koha)
biblionumber (Koha) 201393
Holdings
Не выдается Отсутствует на месте Поврежден Исходное место хранения Местоположение Дата поступления Цена Всего выдач Расстановочный шифр Штрих-код Номер копии Класс экземпляра
      Научная библиотека ТГУ Книгохранилище 03/04/2021 112.00   1-921229к 53 13820000477619 1 Выдается в читальный зал