Normal view
MARC view
Закономерности образования структурных дефектов в полупроводниках А2В6 (Record no. 201393)
[ view plain ]
000 -Маркер записи | |
---|---|
Контрольное поле постоянной длины | 02823nam a2200553 4500 |
001 - Контрольный номер | |
Контрольное поле | vtls000198556 |
005 - Дата корректировки | |
Контрольное поле | 20210922010943.0 |
008 - Кодируемые данные | |
Контрольное поле постоянной длины | 050513s2003 ru a f b 000 0 rus d |
020 ## - Индекс ISBN | |
ISBN | 594010214X |
035 ## - Системный контрольный номер | |
Системный контрольный номер | 0203-66060 |
040 ## - Источник каталогиз. | |
Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
Код языка каталог. | rus |
Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
Правила каталог. | PSBO |
080 ## - Индекс УДК | |
Индекс УДК | 537.322:539.23 |
100 1# - Автор | |
Автор | Логинов, Юрий Юрьевич. |
9 (RLIN) | 280244 |
245 10 - Заглавие | |
Заглавие | Закономерности образования структурных дефектов в полупроводниках А2В6 |
Ответственность | Ю. Ю. Логинов, Пол Д. Браун, Кен Дьюроуз |
260 ## - Выходные данные | |
Место издания | М. |
Издательство | Логос |
Дата издания | 2003 |
300 ## - Физическое описание | |
Объем | 302, [2] с. |
Иллюстрации/тип воспроизводства | рис. |
504 ## - Библиография | |
Библиография | Библиогр.: с. 282-302 |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | полупроводники. |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | структурные дефекты. |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | легированные кристаллы. |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | преципитация донорных примесей. |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | преципитация акцепторных примесей. |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | эпитаксиальные структуры. |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | дефектообразование. |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | кристаллы бинарные. |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | кристаллографическая полярность. |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | гетероэпитаксиальные структуры. |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | эпитаксиальные пленки. |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | электронное облучение. |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | ионное облучение. |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | электронное облучение с надпороговыми энергиями. |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | моделирование дефектообразования. |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | проводимости локальная инверсия. |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | монокристаллы полупроводников. |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | термообработка в вакууме. |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | термообработка в атмосфере. |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | полупроводниковые сверхструктуры. |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | выращивание монокристаллов. |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | анизотропия. |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | полупроводники широкозонные. |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | Бриджмена метод выращивания кристаллов. |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | Пайпера метод выращивания кристаллов. |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | Полича метод выращивания кристаллов. |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Браун, Пол Д. |
9 (RLIN) | 280245 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Дьюроуз, Кен. |
9 (RLIN) | 280246 |
852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
Код организации-хранителя | RU-ToGU |
Полочный индекс | 1-921229к |
Авторский знак | 537 |
Код страны | ru |
999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
biblionumber (Koha) | 201393 |
Не выдается | Отсутствует на месте | Поврежден | Исходное место хранения | Местоположение | Дата поступления | Цена | Всего выдач | Расстановочный шифр | Штрих-код | Номер копии | Класс экземпляра |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Научная библиотека ТГУ | Книгохранилище | 03/04/2021 | 112.00 | 1-921229к 53 | 13820000477619 | 1 | Выдается в читальный зал |