Normal view
MARC view
Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения [монография] К. И. Таперо, В. Н. Улимов, А. М. Членов
Material type:
TextPublication details: Москва БИНОМ. Лаборатория знаний 2020Description: 304 с. ил., таблContent type: Текст Media type: непосредственный ISBN: 9785996306336Subject(s): интегральные схемы кремниевые | ионизирующее излучение космическое | радиационные эффекты | воздействие проникающей радиации на полупроводниковые приборы | воздействие проникающей радиации на интегральные схемы | воздействие проникающей радиации на материалы электронной техники | радиация проникающая, применение | полупроводниковые приборы, деградация | ионизирующее излучение космическое | взаимодействие ионизирующих излучений с полупроводниками | наноразмерные дефекты, образование | радиационные испытания полупроводников | микроэлектроника | наноэлектроника | электрофизические параметры полупроводников, изменение | приборные структуры биполярные, деградация | МОП-структуры | КМОП-структуры | большие интегральные микросхемы | радиационные испытания | диоксид кремния, строение
| Item type | Current library | Call number | Status | Date due | Barcode | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Выдается по месту хранения | Научная библиотека ТГУ Читальный зал 5 | 621.3 Т189 (Browse shelf(Opens below)) | Available | 13820001030467 |
Библиогр.: с. 289-297
There are no comments on this title.
Log in to your account to post a comment.