Results
|
1.
|
|
|
2.
|
|
|
3.
|
|
|
4.
|
Электронные свойства p-GaN(Mg), облученного реакторными нейтронами В. М. Бойко, В. Н. Брудный, С. С. Веревкин и др. by Бойко, В. М | Веревкин, Сергей Сергеевич | Ермаков, В. С | Колин, Николай Георгиевич | Корулин, Алексей Викторович | Поляков, Александр Яковлевич | Брудный, Валентин Натанович | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ. Source: Физика и техника полупроводниковMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
5.
|
|
|
6.
|
|
|
7.
|
Детекторы заряженных частиц на основе радиационно-модифицированного полуизолирующего арсениде галлия Г. И. Айзенштат, М. В. Ардышев, Н. Г. Колин [и др.] by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Ардышев, Михаил Вячеславович | Колин, Николай Георгиевич | Меркурисов, Денис Игоревич | Потапов, Александр Иванович | Толбанов, Олег Петрович | Хлудков, Станислав Степанович. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
8.
|
|
|
9.
|
Электронные свойства и глубокие ловушки облученного электронами n-GaN В. Н. Брудный, С. С. Веревкин, А. В. Говорков и др. by Веревкин, Сергей Сергеевич | Говорков, Анатолий Васильевич | Ермаков, В. С | Колин, Николай Георгиевич | Корулин, Алексей Викторович | Поляков, Александр Яковлевич | Смирнов, Н. Б | Брудный, Валентин Натанович | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников. Source: Физика и техника полупроводниковMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
10.
|
|
|
11.
|
Термодинамика антиструктурных дефектов в GaAs О. Л. Кухто, Н. Г. Колин by Кухто, О. Л | Колин, Николай Георгиевич. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
12.
|
|
|
13.
|
|
|
14.
|
|
|
15.
|
|
|
16.
|
|
|
17.
|
|
|
18.
|
Основные антиструктурные дефекты в GaAs О. Л. Кухто, Н. Г. Колин by Кухто, О. Л | Колин, Николай Георгиевич. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
19.
|
|
|
20.
|
Закрепление уровня Ферми в полупроводниках В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев, Н. Г. Колин by Брудный, Валентин Натанович | Гриняев, Сергей Николаевич | Колин, Николай Георгиевич. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
21.
|
|