Normal view
MARC view
Антиструктурные дефекты и прыжковая проводимость в GaAs при высоких температурах О. Л. Кухто, Н. Г. Колин
Material type: ArticleSubject(s): полупроводниковые приборы | арсенид галлия | антиструктурные дефекты | высокие температуры | прыжковая проводимость | экспериментальные исследования In: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции С. 91-93No physical items for this record
Библиогр.: 5 назв.
There are no comments on this title.
Log in to your account to post a comment.