Normal view
MARC view
Исследование дефектов структуры в полупроводниках A3B5 методом позитронной аннигиляционной спектроскопии В. И. Графутин, О. В. Илюхина, В. В. Калугин и др.
Material type: ArticleSubject(s): аннигиляция | полупроводники | монокристаллы кремния In: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции С. 92-95No physical items for this record
Библиогр.: 5 назв.
There are no comments on this title.
Log in to your account to post a comment.