Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

Исследование дефектов структуры в полупроводниках A3B5 методом позитронной аннигиляционной спектроскопии (Record no. 308361)

MARC details
000 -Маркер записи
Контрольное поле постоянной длины 01359naa a2200277 4500
001 - Контрольный номер
Контрольное поле vtls000418807
005 - Дата корректировки
Контрольное поле 20210404141400.0
008 - Кодируемые данные
Контрольное поле постоянной длины 120109s2006 ru f 100 0 rus d
035 ## - Системный контрольный номер
Системный контрольный номер to000418807
040 ## - Источник каталогиз.
Служба первич. каталог. RU-ToGU
Код языка каталог. rus
Служба, преобразующая запись RU-ToGU
080 ## - Индекс УДК
Индекс УДК 537.311.322:546.681'191.1
080 ## - Индекс УДК
Индекс УДК 621.315.592:546.681'191.1
245 10 - Заглавие
Заглавие Исследование дефектов структуры в полупроводниках A3B5 методом позитронной аннигиляционной спектроскопии
Ответственность В. И. Графутин, О. В. Илюхина, В. В. Калугин и др.
504 ## - Библиография
Библиография Библиогр.: 5 назв.
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова аннигиляция
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова полупроводники
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова монокристаллы кремния
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Графутин, В. И.
9 (RLIN) 212174
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Илюхина, О. В.
9 (RLIN) 212175
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Калугин, В. В.
9 (RLIN) 379179
773 0# - Источник информации
Название источника Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции
Место и дата издания Томск, 2006
Прочая информация С. 92-95
Контрольный № источника to000223791
852 ## - Местонахождение единицы хранения
Код организации-хранителя RU-ToGU
908 ## - Параметр входа данных
Параметр входа данных статья
999 ## - Системные контрольные номера (Koha)
biblionumber (Koha) 308361

No items available.