Normal view
MARC view
On the electronic properties of GaSb irradiated with reactor neutrons and its charge neutrality level (Record no. 443487)
[ view plain ]
| 000 -Маркер записи | |
|---|---|
| Контрольное поле постоянной длины | 01845nab a2200337 c 4500 |
| 001 - Контрольный номер | |
| Контрольное поле | vtls000645654 |
| 005 - Дата корректировки | |
| Контрольное поле | 20211124162542.0 |
| 007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
| Контрольное поле постоянной длины | cr | |
| 008 - Кодируемые данные | |
| Контрольное поле постоянной длины | 181213|2015 gw s a eng d |
| 035 ## - Системный контрольный номер | |
| Системный контрольный номер | to000645654 |
| 040 ## - Источник каталогиз. | |
| Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
| Код языка каталог. | rus |
| Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
| 245 10 - Заглавие | |
| Заглавие | On the electronic properties of GaSb irradiated with reactor neutrons and its charge neutrality level |
| Ответственность | V. M. Boiko, V. N. Brudnii, V. S. Ermakov [et al.] |
| 504 ## - Библиография | |
| Библиография | Библиогр.: 13 назв. |
| 520 3# - Аннотация | |
| Аннотация | The electronic properties and the limiting position of the Fermi level in p-GaSb crystals irradiated with full-spectrum reactor neutrons at up to a fluence of 8.6 × 1018 cm−2 are studied. It is shown that the irradiation of GaSb with reactor neutrons results in an increase in the concentration of free holes to p lim = (5−6) × 1018 cm−3 and in pinning of the Fermi level at the limiting position F lim close to E V + 0.02 eV at 300 K. The effect of the annealing of radiation defects in the temperature range 100–550°C is explored. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | электронные свойства |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | кристаллы |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | Ферми уровень |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | отжиг радиационных дефектов |
| 655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
| Жанр/форма | статьи в журналах |
| 9 (RLIN) | 745982 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Brudnyi, Valentin N. |
| 9 (RLIN) | 104916 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Ermakov, V. S. |
| 9 (RLIN) | 487196 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Kolin, Nikolay G. |
| 9 (RLIN) | 487193 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Korulin, A. V. |
| 9 (RLIN) | 487194 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Boiko, V. M. |
| 9 (RLIN) | 567641 |
| 773 0# - Источник информации | |
| Название источника | Semiconductors |
| Место и дата издания | 2015 |
| Прочая информация | Vol. 49, № 6. P. 763-766 |
| ISSN | 1063-7826 |
| 852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
| Код организации-хранителя | RU-ToGU |
| 856 7# - Электронный адрес документа | |
| URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000645654">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000645654</a> |
| 908 ## - Параметр входа данных | |
| Параметр входа данных | статья |
| 999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
| biblionumber (Koha) | 443487 |
No items available.