Normal view
MARC view
Влияние обработки в низкоэнергетической плазме CF4 и последующего отжига на образование дефектов в псевдоморфных GaAs/AlGaAs/InGaAs/GaAs гетерострукткрах для мощных сверхвысокочастотных транзисторов Т. С. Шамирзаев, К. С. Журавлев, Ф. В. Вьюганов [и др.]
Material type: ArticleSubject(s): физика полупроводников | полупроводники | полупроводниковые приборы | микроэлектронные приборы | электронные устройства | СВЧ транзисторы | арсенид галлия | гетероструктуры | экспериментальные исследования | полупроводниковые материалы In: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции С. 315-317No physical items for this record
Библиогр.: 4 назв.
There are no comments on this title.
Log in to your account to post a comment.