000 02838nam a2200337 4500
001 koha000993317
006 m o
007 cr
008 230126d2019 RU s 00 0 rus
035 _akoha000993317
040 _aRU
_brus
_cRU
_dRu-ToGu
080 _a621.317
084 _a32.844
_2rubbk
245 1 0 _aОсновы силовой электроники
_cА. И. Белоус, В. А. Солодуха, С. А. Ефименко, В. А. Пилипенко
260 _aМосква
_bТехносфера
_c2019
300 _a424 с.
500 _aКнига находится в премиум-версии IPR SMART.
520 _aВ книге представлена информация о принципах работы, основных технических характеристиках и технологиях изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, применяемых в силовой электронике. Рассмотрена элементная база для вторичных источников питания, управления электродвигателями и осветительным оборудованием, для автомобильной электроники, управления MOSFET и IGBT. Отдельные главы посвящены приборам на основе широкозонных полупроводников – нитрида галлия, карбида кремния и арсенида галлия. Рассмотрены вопросы высокотемпературной обработки в технологии приборов для силовой электроники, особенности корпусирования мощных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Книга ориентирована на широкий круг читателей – научных и инженерно-технических работников, преподавателей, аспирантов и студентов, изучающих и применяющих элементную базу силовой электроники.
653 _aсиловая электроника
653 _aбиполярный транзистор
653 _aтиристоры
653 _aдинисторы
653 _aтермобатареи
700 1 _aБелоус, А. И.
700 1 _aСолодуха, В. А.
_9646539
700 1 _aЕфименко, С. А.
_9597273
700 1 _aПилипенко, В. А.
_9653694
856 4 _uhttps://www.iprbookshop.ru/99108.html
_yЭБС IPR BOOKS
910 _aIPR Books
999 _c993317