| 000 | 01273nam a2200229 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | koha000924756 | ||
| 008 | 221201s2022 ru a f bm 000 0 rus d | ||
| 035 | _akoha000924756 | ||
| 040 |
_aRU-ToGU _brus _cRU-ToGU |
||
| 072 | 7 |
_a1.3.11 _2nsnr |
|
| 100 | 1 |
_aГоляшов, Владимир Андреевич _9505995 |
|
| 245 | 1 | 0 |
_aФизико-химические свойства и электронная структура поверхности трехмерных топологических изоляторов на основе халькогенидов и халькогалогенидов висмута и сурьмы _bавтореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11 _cГоляшов Владимир Андреевич |
| 260 |
_aНовосибирск _b[б. и.] _c2022 _9687597 |
||
| 300 |
_a22 с. _bил. |
||
| 336 | _aТекст | ||
| 337 | _aнепосредственный | ||
| 504 | _aБиблиогр.: с. 20-22 | ||
| 650 | 7 |
_aфизика полупроводников. _2nsnr _959579 |
|
| 653 |
_aавторефераты диссертаций. _953499 |
||
| 852 | 4 |
_aRU-ToGU _nru |
|
| 999 |
_c924756 _d924756 |
||
| 039 |
_z105 _b105 |
||