| 000 | 01499naa a2200325 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | koha000722143 | ||
| 005 | 20211124154843.0 | ||
| 008 | 211124s2002 ru f 100 0 eng d | ||
| 035 | _akoha000722143 | ||
| 039 |
_z26 _b26 |
||
| 040 |
_aRU-ToGU _brus _cRU-ToGU |
||
| 245 | 1 | 0 |
_aComparative study of SI GaAs detectors with Schottky barriers and epitaxial hing-doped layers _cE. Verbitskaya, T. J. Bowles, V. Eremin [et.al.] |
| 504 | _aБиблиогр.: 3 назв. | ||
| 653 | _aфизика полупроводников | ||
| 653 | _aполупроводники | ||
| 653 | _aполупроводниковые приборы | ||
| 653 | _aэпитаксиальные слои | ||
| 653 | _aарсенид галлия | ||
| 653 | _aШоттки барьер | ||
| 653 | _aдетекторы ионизирующей радиации | ||
| 653 | _aэкспериментальные исследования | ||
| 653 | _aполупроводниковые материалы | ||
| 700 | 1 |
_9659336 _aVerbitskaya, E |
|
| 700 |
_9570464 _aBowles, T. J |
||
| 700 | 1 |
_9570465 _aEremin, V. K |
|
| 773 | 0 |
_tВосьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции _dТомск, 2002 _gС. 263-265 _w0183-75860 |
|
| 852 | 4 |
_aRU-ToGU _nru |
|
| 908 | _aстатья | ||
| 942 | _2udc | ||
| 999 |
_c722143 _d722143 |
||