| 000 | 01682naa a2200325 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | koha000721867 | ||
| 005 | 20211124104832.0 | ||
| 008 | 211119s2002 ru f 100 0 rus d | ||
| 035 | _akoha000721867 | ||
| 039 |
_z26 _b26 |
||
| 040 |
_aRU-ToGU _brus _cRU-ToGU |
||
| 100 | 1 |
_aБрудный, Валентин Натанович _972071 |
|
| 245 | 1 | 0 |
_aЭлектрофизические свойства и чувствительность к всестороннему сжатию облученного электронами GaP _cВ. Н. Брудный, В. А. Новиков |
| 504 | _aБиблиогр.: 4 назв. | ||
| 653 | _aфизика полупроводников | ||
| 653 | _aполупроводники | ||
| 653 | _aполупроводниковые приборы | ||
| 653 | _aоблученные кристаллы | ||
| 653 | _aфосфид галлия | ||
| 653 | _aчувствительность кристаллов | ||
| 653 | _aоблучение электронами | ||
| 653 | _aэкспериментальные исследования | ||
| 653 | _aполупроводниковые материалы | ||
| 653 | _aтруды ученых ТГУ | ||
| 700 | 1 |
_983069 _aНовиков, Вадим Александрович |
|
| 773 | 0 |
_tВосьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции _dТомск, 2002 _gС. 241-243 _w0183-75860 |
|
| 852 | 4 |
_aRU-ToGU _nru |
|
| 908 | _aстатья | ||
| 942 | _2udc | ||
| 999 |
_c721867 _d721867 |
||