000			01683naa a2200337 c 4500
001			koha000721805
005			20211119110757.0
008			211119s2002 ru f 100 0 rus d
035			_akoha000721805
039			_z26 _b26
040			_aRU-ToGU _brus _cRU-ToGU
245	1	0	_aОсобенности фотоотражения в тонких пленках n-GaAs _cЛ. П. Авакянц, П. Ю. Боков, И. П. Казаков, А. В. Червяков
504			_aБиблиогр.: 1 назв.
653			_aфизика полупроводников
653			_aполупроводники
653			_aарсенид галлия
653			_aполупроводниковые структуры
653			_aтонкие пленки
653			_aспектроскопия фотоотражения
653			_aфотоотражение
653			_aэкспериментальные исследования
653			_aполупроводниковые материалы
700	1		_9761448 _aАвакянц, Лев Павлович
700	1		_9763185 _aБоков, Павел Юрьевич
700	1		_9763186 _aКазаков, Игорь Петрович
700	1		_9763187 _aЧервяков, Анатолий Васильевич
773	0		_tВосьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции _dТомск, 2002 _gС. 214-216 _w0183-75860
852	4		_aRU-ToGU _nru
908			_aстатья
942			_2udc
999			_c721805 _d721805