000 01810naa a2200337 c 4500
001 koha000721291
005 20211116161448.0
008 211112s2002 ru f 100 0 rus d
035 _akoha000721291
039 _z26
_b100
040 _aRU-ToGU
_brus
_cRU-ToGU
245 1 0 _aРекомбинация экситонов, связанных на донорно-акцепторных парах, в δ-легированных GaAs/AlAs сверхрешетках второго ряда
_cД. В. Гуляев, А. М. Гилинский, А. И. Торопов [и др.]
504 _aБиблиогр.: 4 назв.
653 _aфизика полупроводников
653 _aквантовые ямы
653 _aарсенид галлия
653 _aарсенид алюминия
653 _aсверхрешетки
653 _aэкситоны
653 _aполупроводниковые материалы
653 _aэкспериментальные исследования
700 1 _aГуляев, Дмитрий Владимирович
_9401725
700 1 _aГилинский, Александр Михайлович
_9762685
700 1 _9379239
_aТоропов, Александр Иванович
700 1 _9762650
_aБакаров, Асхат Климович
700 1 _9379309
_aЖуравлев, Константин Сергеевич
773 0 _tВосьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции
_dТомск, 2002
_gС. 132-133
_w0183-75860
852 4 _aRU-ToGU
_nru
908 _aстатья
942 _2udc
999 _c721291
_d721291