000 | 01810naa a2200337 c 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | koha000721291 | ||
005 | 20211116161448.0 | ||
008 | 211112s2002 ru f 100 0 rus d | ||
035 | _akoha000721291 | ||
039 |
_z26 _b100 |
||
040 |
_aRU-ToGU _brus _cRU-ToGU |
||
245 | 1 | 0 |
_aРекомбинация экситонов, связанных на донорно-акцепторных парах, в δ-легированных GaAs/AlAs сверхрешетках второго ряда _cД. В. Гуляев, А. М. Гилинский, А. И. Торопов [и др.] |
504 | _aБиблиогр.: 4 назв. | ||
653 | _aфизика полупроводников | ||
653 | _aквантовые ямы | ||
653 | _aарсенид галлия | ||
653 | _aарсенид алюминия | ||
653 | _aсверхрешетки | ||
653 | _aэкситоны | ||
653 | _aполупроводниковые материалы | ||
653 | _aэкспериментальные исследования | ||
700 | 1 |
_aГуляев, Дмитрий Владимирович _9401725 |
|
700 | 1 |
_aГилинский, Александр Михайлович _9762685 |
|
700 | 1 |
_9379239 _aТоропов, Александр Иванович |
|
700 | 1 |
_9762650 _aБакаров, Асхат Климович |
|
700 | 1 |
_9379309 _aЖуравлев, Константин Сергеевич |
|
773 | 0 |
_tВосьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции _dТомск, 2002 _gС. 132-133 _w0183-75860 |
|
852 | 4 |
_aRU-ToGU _nru |
|
908 | _aстатья | ||
942 | _2udc | ||
999 |
_c721291 _d721291 |