000 01812naa a2200337 c 4500
001 koha000721273
005 20211112111330.0
008 211112s2002 ru f 100 0 rus d
035 _akoha000721273
039 _z26
_b26
040 _aRU-ToGU
_brus
_cRU-ToGU
245 1 0 _aВлияние морфологии гетерограниц на транспорт двумерных электронов в GaAs квантовых ямах с AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами
_cА. К. Бакаров, А. А. Быков, А. В. Горан [и др.]
504 _aБиблиогр.: 2 назв.
653 _aдвумерный электронный газ
653 _aполупроводниковое материалы
653 _aарсенид галлия
653 _aарсенид алюминия
653 _aквантовые ямы
653 _aгетерограницы
653 _aэкспериментальные исследования
700 1 _aБакаров, Асхат Климович
_9762650
700 1 _9379238
_aБыков, Алексей Александрович
700 1 _aГоран, Андрей Васильевич
_9762651
700 1 _9171559
_aДеребезов, Илья Александрович
700 1 _9384805
_aПопова, А. В
700 1 _9379239
_aТоропов, Александр Иванович
773 0 _tВосьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции
_dТомск, 2002
_gС. 127-128
_w0183-75860
852 4 _aRU-ToGU
_nru
908 _aстатья
942 _2udc
999 _c721273
_d721273