000 | 01812naa a2200337 c 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | koha000721273 | ||
005 | 20211112111330.0 | ||
008 | 211112s2002 ru f 100 0 rus d | ||
035 | _akoha000721273 | ||
039 |
_z26 _b26 |
||
040 |
_aRU-ToGU _brus _cRU-ToGU |
||
245 | 1 | 0 |
_aВлияние морфологии гетерограниц на транспорт двумерных электронов в GaAs квантовых ямах с AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами _cА. К. Бакаров, А. А. Быков, А. В. Горан [и др.] |
504 | _aБиблиогр.: 2 назв. | ||
653 | _aдвумерный электронный газ | ||
653 | _aполупроводниковое материалы | ||
653 | _aарсенид галлия | ||
653 | _aарсенид алюминия | ||
653 | _aквантовые ямы | ||
653 | _aгетерограницы | ||
653 | _aэкспериментальные исследования | ||
700 | 1 |
_aБакаров, Асхат Климович _9762650 |
|
700 | 1 |
_9379238 _aБыков, Алексей Александрович |
|
700 | 1 |
_aГоран, Андрей Васильевич _9762651 |
|
700 | 1 |
_9171559 _aДеребезов, Илья Александрович |
|
700 | 1 |
_9384805 _aПопова, А. В |
|
700 | 1 |
_9379239 _aТоропов, Александр Иванович |
|
773 | 0 |
_tВосьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции _dТомск, 2002 _gС. 127-128 _w0183-75860 |
|
852 | 4 |
_aRU-ToGU _nru |
|
908 | _aстатья | ||
942 | _2udc | ||
999 |
_c721273 _d721273 |