000 02755nab a2200373 c 4500
001 koha000720915
005 20211124113037.0
007 cr |
008 211108|2021 ru s c rus d
024 7 _a10.17223/00213411/64/3/8
_2doi
035 _akoha000720915
040 _aRU-ToGU
_brus
_cRU-ToGU
245 1 0 _aЭлектронная теплоемкость некоторых соединений ванадия при низких температурах
_cВад. И. Суриков, Вал. И. Суриков, Ю. В. Кузнецова [и др.]
336 _aТекст
337 _aэлектронный
504 _aБиблиогр.: 7 назв.
520 3 _aПредставлены результаты исследования температурной зависимости молярной теплоемкости при постоянном давлении в интервале от 5 до 300 К для материалов на основе ванадия. Для всех исследуемых материалов рассчитаны значения плотности состояний вблизи уровня Ферми. Установлено, что для материалов V3Si и V3Ge значения плотности состояний μ(E) коррелируют с температурами перехода в сверхпроводящее состояние. Для материалов V2O3 и V1.973Me0.027O3 (Me – Al, Fe, Cr) установлено, что температуры фазовых переходов металл – диэлектрик уменьшаются с увеличением значений плотности состояний.
653 _aоксиды ванадия
653 _aмолярная теплоемкость
653 _aсверхпорводники
653 _aэкспериментальные исследования
655 4 _aстатьи в журналах
_9761826
700 1 _aСуриков, Вадим Иванович
_9500194
700 1 _aСуриков, Валерий Иванович
_9392497
700 1 _aКузнецова, Юлия Вадимовна
_9500193
700 1 _aСеменюк, Наталья Андреевна
_9500198
700 1 _aЛях, Ольга Владимировна
_9761830
700 1 _aПрокудина, Наталья Анатольевна
_9761831
773 0 _tИзвестия высших учебных заведений. Физика
_d2021
_gТ. 64, № 3. С. 8-12
_x0021-3411
_w0026-80960
852 4 _aRU-ToGU
856 4 _uhttp://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000720915
908 _aстатья
999 _c720915