000			02417naa a2200313 c 4500
001			koha000702774
005			20221227124824.0
007			cr |
008			210813s2021 ru fs 100 0 rus d
035			_akoha000702774
040			_aRU-ToGU _brus _cRU-ToGU
100	1		_aЛозовой, Кирилл Александрович _990985
245	1	0	_aМоделирование эпитаксиального формирования двумерных материалов на основе кремния и германия _cК. А. Лозовой, В. П. Винарский, А. П. Коханенко
336			_aТекст
337			_aэлектронный
504			_aБиблиогр.: 4 назв.
520	3		_aВ настоящей работе строится физико-математическая модель эпитаксиального синтеза на различных подложках двумерных материалов IV группы — силицена и германена. Рассматриваются различные стадии формирования двумерного слоя толщиной от одного до нескольких монослоев, а также появления двумерных островков. Особое внимание уделяется установлению возможностей преодоления нуклеации островков и предотвращения нежелательного перехода от двумерного к трехмерному росту.
653			_aфизико-математические модели
653			_aэпитаксиальный синтез
653			_aдвумерные материалы
655		4	_aстатьи в сборниках _9713576
700	1		_aВинарский, Владимир Петрович _9508783
700	1		_aКоханенко, Андрей Павлович _965555
773	0		_tНанофизика и наноэлектроника : труды XXV Международного симпозиума, 9-12 марта 2021 г., Нижний Новгород _dНижний Новгород, 2021 _gТ. 2 : Секция 3. С. 743
852	4		_aRU-ToGU
856	4		_uhttp://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000702774
908			_aстатья
999			_c702774