| 000 | 01278nam a2200217 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | vtls000069067 | ||
| 003 | RU-ToGU | ||
| 005 | 20210910114238.0 | ||
| 008 | 091028s2000 ru a f mb 000 0 rus d | ||
| 035 | _a0072-05160 | ||
| 040 |
_aRU-ToGU _brus _cRU-ToGU _ePSBO |
||
| 100 | 1 |
_aАрдышев, Михаил Вячеславович. _9165529 |
|
| 245 | 1 | 0 |
_aИсследование радиационно-термических процессов формирования ионно-легированных слоев n-GaAs _bАвтореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10 _cСиб. физ. -техн. ин-т при Том. гос. ун-те |
| 260 |
_aТомск _c2000 |
||
| 300 |
_a19 с. _bил. |
||
| 504 | _aБиблиогр.: с. 17-19 | ||
| 650 | 7 |
_aФизика полупроводников и диэлектриков _2БВАК1995N4 _956418 |
|
| 653 | _aавторефераты диссертаций. | ||
| 852 | 4 |
_aRU-ToGU _h1-870439к _i53 _nru |
|
| 999 | _c69591 | ||