000 01557naa a2200289 4500
001 koha000656194
008 210705s1999 ru f 10 0 rus d
035 _akoha000656194
039 _z26
_b100
040 _aRU-ToGU
_brus
_cRU-ToGU
245 1 0 _aДетекторы ядерных излучений на основе эпитаксиальных слоев AlGaAs
_cГ. И. Айзенштат, С. М. Гущин, Л. П. Пороховниченко [и др.]
504 _aБиблиогр.: 1 назв.
653 _aарсенид галлия
653 _aполупроводниковое материалы
653 _aэпитаксиальные слои
653 _aдетекторы ионизирующих излучений
653 _aтруды ученых ТГУ
700 1 _aАйзенштат, Геннадий Исаакович
_986748
700 1 _aГущин, Сергей Михайлович
_9659316
700 1 _aПороховниченко, Лидия Петровна
_9370978
700 1 _aПотапов, Александр Иванович
_9477437
700 1 _aТолбанов, Олег Петрович
_967379
700 1 _aХан, А. В.
_9659359
773 0 _tМатериалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП
_dТомск, 1999
_gС. 153-155
_w0143-10460
852 4 _aRU-ToGU
_nru
908 _aстатья
999 _c656194
_d656194