000 | 01557naa a2200289 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | koha000656194 | ||
008 | 210705s1999 ru f 10 0 rus d | ||
035 | _akoha000656194 | ||
039 |
_z26 _b100 |
||
040 |
_aRU-ToGU _brus _cRU-ToGU |
||
245 | 1 | 0 |
_aДетекторы ядерных излучений на основе эпитаксиальных слоев AlGaAs _cГ. И. Айзенштат, С. М. Гущин, Л. П. Пороховниченко [и др.] |
504 | _aБиблиогр.: 1 назв. | ||
653 | _aарсенид галлия | ||
653 | _aполупроводниковое материалы | ||
653 | _aэпитаксиальные слои | ||
653 | _aдетекторы ионизирующих излучений | ||
653 | _aтруды ученых ТГУ | ||
700 | 1 |
_aАйзенштат, Геннадий Исаакович _986748 |
|
700 | 1 |
_aГущин, Сергей Михайлович _9659316 |
|
700 | 1 |
_aПороховниченко, Лидия Петровна _9370978 |
|
700 | 1 |
_aПотапов, Александр Иванович _9477437 |
|
700 | 1 |
_aТолбанов, Олег Петрович _967379 |
|
700 | 1 |
_aХан, А. В. _9659359 |
|
773 | 0 |
_tМатериалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП _dТомск, 1999 _gС. 153-155 _w0143-10460 |
|
852 | 4 |
_aRU-ToGU _nru |
|
908 | _aстатья | ||
999 |
_c656194 _d656194 |