| 000 | 01261naa a2200217 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | koha000656031 | ||
| 008 | 210701s1999 ru f 10 0 rus d | ||
| 035 | _akoha000656031 | ||
| 039 |
_z26 _b26 |
||
| 040 |
_aRU-ToGU _brus _cRU-ToGU |
||
| 100 | 1 |
_aМарков, Александр Владимирович _9680123 _cфизик |
|
| 245 | 1 | 0 |
_aПолучение монокристаллов высокочистого полуизолирующего арсенида галлия методом Чохральского с жидкостной герметизацией расплава _cА. В. Марков |
| 653 | _aарсенид галлия | ||
| 653 | _aполупроводниковое материалы | ||
| 653 | _aЧохральского метод | ||
| 653 | _aполуизолирующий арсенид галлия | ||
| 653 | _aжидкостная герметизация расплава | ||
| 773 | 0 |
_tМатериалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП _dТомск, 1999 _gС. 76-77 _w0143-10460 |
|
| 852 | 4 |
_aRU-ToGU _nru |
|
| 908 | _aстатья | ||
| 999 |
_c656031 _d656031 |
||