000 | 01383naa a2200265 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | koha000655993 | ||
008 | 210630s1999 ru f 10 0 rus d | ||
035 | _akoha000655993 | ||
039 |
_z26 _b26 |
||
040 |
_aRU-ToGU _brus _cRU-ToGU |
||
100 | 1 |
_aБудницкий, Давыд Львович _983614 |
|
245 | 1 | 0 |
_aВлияние термоакцепторов на электрофизические характеристики диффузионных, высокоомных слоев GaA:Cr _cД. Л. Будницкий, А. И. Госсен, О. Б. Корецкая |
504 | _aБиблиогр.: 6 назв. | ||
653 | _aарсенид галлия | ||
653 | _aдиодные структуры | ||
653 | _aэлектрофизические характеристики | ||
653 | _aдиффузия хрома | ||
653 | _aтермоакцепторы | ||
653 | _aтруды ученых ТГУ | ||
700 | 1 |
_aГоссен, А. И. _9659058 |
|
700 | 1 |
_aКорецкая, Ольга Борисовна _986741 |
|
773 | 0 |
_tМатериалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП _dТомск, 1999 _gС. 48-50 _w0143-10460 |
|
852 | 4 |
_aRU-ToGU _nru |
|
908 | _aстатья | ||
999 |
_c655993 _d655993 |