000 01665nam a2200397 4500
001 vtls000061312
003 RU-ToGU
005 20210909144556.0
008 000328s1999 ru a f b 000 0 rus d
020 _a5020248592
035 _a0064-16260
040 _aRU-ToGU
_brus
_cRU-ToGU
_ePSBO
080 _a539.219.3
100 1 _aМалкович, Роальд Шлемович.
_9159697
245 1 0 _aМатематика диффузии в полупроводниках
260 _aСПб.
_bНаука
_c1999
300 _a388, [2] с.
_bтабл., рис.
504 _aБиблиогр.: с. 385
653 _aтвердые тела.
653 _aполупроводники.
653 _aМатематический анализ.
653 _aдиффузии.
653 _aатомная диффузия.
653 _aточечные дефекты.
653 _aионизированные примеси.
653 _aэлектронно-дырочная подсистема.
653 _aуравнения диффузии.
653 _aкинетика перескоков.
653 _aдиффузия с дрейфом.
653 _aдиффузия с изменением состояния.
653 _aэлектрическое поле внутреннее.
653 _aконцентрационно-зависимая диффузия.
653 _aаналитические методы.
852 4 _aRU-ToGU
_h1-870059к
_i539.2
_nru
999 _c61749