000 02136nam a2200421 i 4500
001 vtls000418064
003 RU-ToGU
005 20210909190558.0
008 111215s1984 ru a f|b 000 0 rus d
020 _aВ пер. (В пер.)
_c3 р.
035 _a(RuMoRKP)ru84-61881
035 _a(RuMoRGB)001215215
040 _aRKP
_brus
_ePSBO
041 0 _arus
080 _a537.311.322:538.935
084 _a17.4.6
_2rueskl
100 1 _aБасс, Фридрих Гершонович
_9158539
245 1 0 _aЭлектроны и фононы в ограниченных полупроводниках
_cФ. Г. Басс, В. С. Бочков, Ю. Г. Гуревич
260 _aМосква
_bНаука
_c1984
300 _a286, [1] с.
_bил.
_c22 см
504 _aБиблиогр.: с. 281-287 (300 назв.)
653 _aполупроводники ограниченные
653 _aквазичастицы
653 _aмагитные свойства полупроводников
653 _aэлектронный перенос в полупроводниках
653 _aкинетические уравнения
653 _aвольтамперные характеристики нелинейные
653 _aгальваномагнитные явления в полупроводниках
653 _aвольамперные характеристики многозначные
653 _aтермомагнитные явления в полупроводниках
653 _aвзаимодействия сильные фонон-электронные
653 _aвзаимодействия сильные фонон-фононные
653 _aэлектрические поля сильные
700 1 _aБочков, Валерий Самойлович
_9158540
700 1 _aГуревич, Юрий Генрихович
_9154871
852 4 _aRU-ToGU
_h537
_iБ276
_nru
999 _c60467