000 01605nam a2200385 4500
001 vtls000052829
003 RU-ToGU
005 20210913214455.0
008 000112s1999 ru 00| | rus d
020 _a5934970011
035 _a0055-53960
040 _aRU-ToGU
_brus
_cRU-ToGU
_ePSBO
080 _a621.315.592
080 _a537.311.322
100 1 _aКрасников, Геннадий Яковлевич
_d1958-
_997433
245 1 0 _aФизико-технологические основы обеспечения качества СБИС
_nЧ. 2
260 _aМ.
_c1999
300 _a216 с.
_bгр.
504 _aБиблиогр.: с. 213-214
653 _aсубмикронная технология.
653 _aполупроводники.
653 _aгеттерирование.
653 _aдефекты структурно-примесные.
653 _aдрейф ионов.
653 _aкремниевые микросхемы.
653 _aинтегральные схемы.
653 _aэлектронно-ионные процессы.
653 _aчипы кремниевые.
653 _aэлектрофизические свойства.
653 _aалюминиевые пленки.
653 _aметаллизация алюминиевая.
700 1 _aЗайцев, Николай Алексеевич.
_9112038
852 4 _aRU-ToGU
_h1-868125к
_i621.3
_nru
999 _c5599