000			01636nam a2200421 i 4500
001			vtls000342813
003			RU-ToGU
005			20210922133153.0
008			120827s2001 gw a f b 001 0 eng d
020			_a3540664963
020			_a9783540664963
022			_a0933-033X
035			_ato000342813
040			_aRU-ToGU _beng _cRU-ToGU
080			_a548.5
100	1		_aMutaftschiev, Boyan _d1932- _9555478
245	1	4	_aThe atomistic nature of crystal growth _cBoyan Mutaftschiev
260			_aBerlin [a. o.] _bSpringer _c2001
300			_axiii, 368 p. _bill.
490	1	0	_aSpringer series in materials science / ed. by R. Hill [a. o.] _vVol. 43
504			_aBibliogr.: p. 349-355. - Index: p. 357-368
653			_aнуклеация гомогенная.
653			_aнуклеация.
653			_aвыращивание кристаллов.
653			_aидеальный газ.
653			_aкристаллы.
653			_aтермодинамика.
653			_aхимический потенциал.
653			_aсвободная энергия.
653			_aфункция распределения.
653			_aравновесия.
653			_aадсорбция.
653			_aтонкие пленки
653			_aрост кристаллов.
830			_aSpringer series in materials science / ed. by R. Hill [a. o.] _9555479
852	4		_aRU-ToGU _nru
999			_c553853