000			02183naa a2200325 4500
001			vtls000330211
003			RU-ToGU
005			20230131165826.0
008			110112s2005 ru a f 100 0 rus d
035			_ato000330211
040			_aRU-ToGU _brus _cRU-ToGU
080			_a621.383.049.77.002.2:539.216.2:620.22-419.8
100	1		_aВойцеховский, Александр Васильевич. _964789
245	1	0	_aФотоэлектрические свойства МДП-структур на основе варизонного HgCdTe _cА. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух
504			_aБиблиогр.: 5 назв.
653			_aМДП-структуры.
653			_aтруды ученых ТГУ.
653			_aпроизводство приборов.
653			_aэлектронная техника.
653			_aфотоэлектрические свойства.
653			_aэлектрофизические свойства.
653			_aмолекулярно-лучевая эпитаксия.
653			_aваризонные структуры.
700	1		_aНесмелов, Сергей Николаевич _965140
700	1		_aДзядух, Станислав Михайлович _980402
773	0		_tВысокие технологии в промышленности России (материалы и устройства функциональной электроники и нанофотоники) : материалы XI международной научно-технической конференции (Москва, МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2005, 8-10 сентября). Тонкие пленки в электронике : материалы XVII международного симпозиума (Москва, МГТУ им. Н. Э. Баумана 2005, 8-10 сентября) _dМосква, 2005 _gС. 164-170 _z5902740045 _wto000211151
852	4		_aRu-ToGU _nru
908			_aстатья
999			_c553259