000 01205naa a2200241 4500
001 vtls000324844
003 RU-ToGU
005 20210406005632.0
008 110109s1973 ru f 110 0 rus d
035 _ato000324844
040 _aRU-ToGU
_brus
_cRU-ToGU
080 _a669
100 1 _aГаман, Василий Иванович
_d1929-2021
_968547
245 1 0 _aЭффект "памяти" и переключение в системах металл-диэлектрик-металл
_cВ.И. Гаман
504 _aБиблиогр.: 17 назв.
653 _aтруды ученых ТГУ
653 _aфизика полупроводников.
653 _aэффект памяти.
773 0 _tДоклады юбилейной научно-технической конференции радиофизического факультета / Томский университет
_dТомск, 1973
_gЧ. 1 : Секция физики полупроводников и диэлектриков. С. 133-137
_wto000350511
852 4 _aRu-ToGU
_nru
908 _aстатья
999 _c544409