| 000 | 01579naa a2200301 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | vtls000319181 | ||
| 003 | RU-ToGU | ||
| 005 | 20220224170535.0 | ||
| 008 | 101222s2000 ru a f 100 0 rus d | ||
| 035 | _ato000319181 | ||
| 040 |
_aRU-ToGU _brus _cRU-ToGU |
||
| 080 | _a621.38 | ||
| 100 | 1 |
_aКалыгина, Вера Михайловна _974707 |
|
| 245 | 1 | 0 |
_aВлияние уровня легирования кремния на чувствительность к водороду барьерных структур Pd/n-Si _cВ.М. Калыгина, Л.С. Хлудкова |
| 653 | _aэлектронные приборы. | ||
| 653 | _aтруды ученых ТГУ. | ||
| 653 | _aфизические процессы. | ||
| 653 | _aэлектрические характеристики. | ||
| 653 | _aкремний. | ||
| 653 | _aлегирование. | ||
| 653 | _aводород. | ||
| 653 | _aбарьерные структуры. | ||
| 700 | 1 |
_aХлудкова, Людмила Станиславовна. _986747 |
|
| 773 | 0 |
_tТруды V международной конференции "Актуальные проблемы электронного приборостроения, АПЭП-2000", Новосибирск, 26-29 сентября 2000: В 7 т. _dНовосибирск, 2000 _gТ.2. С. 126-128 _w0131-42060 |
|
| 852 | 4 |
_aRu-ToGU _nru |
|
| 908 | _aстатья | ||
| 999 | _c541623 | ||