000			02292nam a2200433 c 4500
001			vtls000492595
003			RU-ToGU
005			20221003133621.0
006			m fo d
007			cr |
008			210203s1968 ru a fsbm 000 0 rus d
035			_ato000492595
040			_aRU-ToGU _brus _cRU-ToGU
080			_a621.382.23:546.289:537.12(043.3)
080			_a621.383.23:546.28:537.12(043.3)
080			_a537.311.322:539.378.3(043.3)
100	1		_aАгафонников, Виктор Филиппович _d1937-2022 _9418789
245	1	0	_aВлияние давления на параметры полупроводниковых диодов _bдиссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук _cВ. Ф. Агафонников ; науч. рук. Гаман В. И. ; Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева
260			_aТомск _b[б. и.] _c1968
300			_a138 л. _bрис., табл.
504			_aБиблиогр.: л. 131-136
506			_aДоступ в сети ТГУ
653			_aдиссертации
653			_aдиоды полупроводниковые германиевые
653			_aдиоды полупроводниковые кремниевые
653			_aэнергетические зоны полупроводников
653			_aносители заряда в полупроводниках
653			_aэлектропроводность полупроводников
653			_aдавление анизотропное
653			_aдавление одноосное
653			_aвольтамперные характеристики
653			_ap-n переходы
655		4	_aдиссертации _9743499
700	1		_aГаман, Василий Иванович _d1929-2021 _4ths _968547
710	2		_aТомский государственный университет. _953646
852	4		_aRU-ToGU _nru
856	4		_uhttp://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000492595
999			_c539562