000 02251nam a2200457 4500
001 vtls000417341
003 RU-ToGU
005 20210922132316.0
008 111202s1980 ru a f b 001 0 rus d
035 _ato000417341
040 _aRU-ToGU
_brus
_cRU-ToGU
_ePSBO
080 _a621.382.049.77:53
100 1 _aВикулин, Иван Михайлович
_d1940-
_967777
245 1 0 _aФизика полупроводниковых приборов
_cИ. М. Викулин, В. И. Стафеев
260 _aМосква
_bСоветское радио
_c1980
300 _a295, [1] с.
_bил.
504 _aБиблиогр.: с. 290-292
504 _aПредм. указ.: с. 293-294
653 _aполупроводниковые приборы
653 _aэлектронно-дырочные переходы
653 _aдиоды полупроводниковые
653 _aтранзисторы биполярные
653 _aтранзисторы полевые
653 _aСВЧ-диоды
653 _aдатчики полупроводниковые
653 _aполупроводниковые алмазы
653 _aсверхпроводящие материалы
653 _aакустоэлектронные приборы
653 _aтранзисторы на горячих электронах
653 _aтиристоры с вольамперной характеристикой S-типа
653 _aтранзисторы гетероструктурные
653 _aтранзисторы дрейфовые
653 _aфототранзисторы
653 _aтранзисторы оптоэлектронные
653 _aоптопары
653 _aполупроводниковые приборы с объемной связью
653 _aэлектрофизические параметры полупроводников
700 1 _aСтафеев, Виталий Иванович.
_9107407
852 4 _aRU-ToGU
_h621.38
_iВ439
_nru
999 _c537236