000 02275nam a2200445 i 4500
001 vtls000242259
003 RU-ToGU
005 20210910080559.0
008 080314s1986 bw a f b 001 0 rus d
035 _ato000242259
040 _aRU-ToGU
_brus
_cRU-ToGU
080 _a621.382.049.77:539.1.04
100 1 _aКоршунов, Федор Павлович
_9542140
245 1 0 _aВоздействие радиации на интегральные микросхемы
_cФ. П. Коршунов, Ю. В. Богатырев, В. А. Вавилов ; Акад. наук БССР, Ин-т физики твердого тела и полупроводников
260 _aМинск
_bНаука и техника
_c1986
300 _a253, [1] с.
_bрис., табл.
504 _aБиблиогр.: с. 233-248
504 _aПредм. указ.: с. 249-250
653 _aмикроэлектронные схемы интегральные
653 _aионизирующие излучения
653 _aрадиационные дефекты
653 _aсмещение атомов
653 _aтвердые тела
653 _aкремний
653 _aарсенид галлия
653 _aинтегральные микросхемы биполярные
653 _aМДП-транзисторы
653 _aМДП интегральные микросхемы
653 _aрадиационная стойкость
653 _aпроникающие излучения
653 _aлегирование полупроводников ядерное
653 _aдиффузия в полупроводниках
653 _aтехнология полупроводниковых приборов
653 _aтехнология интегральных микросхем
653 _aлитография
700 1 _aБогатырев, Юрий Владимирович.
_9542141
700 1 _aВавилов, Владимир Алексеевич.
_9542142
852 4 _aRU-ToGU
_nru
999 _c519195