000 | 02275nam a2200445 i 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | vtls000242259 | ||
003 | RU-ToGU | ||
005 | 20210910080559.0 | ||
008 | 080314s1986 bw a f b 001 0 rus d | ||
035 | _ato000242259 | ||
040 |
_aRU-ToGU _brus _cRU-ToGU |
||
080 | _a621.382.049.77:539.1.04 | ||
100 | 1 |
_aКоршунов, Федор Павлович _9542140 |
|
245 | 1 | 0 |
_aВоздействие радиации на интегральные микросхемы _cФ. П. Коршунов, Ю. В. Богатырев, В. А. Вавилов ; Акад. наук БССР, Ин-т физики твердого тела и полупроводников |
260 |
_aМинск _bНаука и техника _c1986 |
||
300 |
_a253, [1] с. _bрис., табл. |
||
504 | _aБиблиогр.: с. 233-248 | ||
504 | _aПредм. указ.: с. 249-250 | ||
653 | _aмикроэлектронные схемы интегральные | ||
653 | _aионизирующие излучения | ||
653 | _aрадиационные дефекты | ||
653 | _aсмещение атомов | ||
653 | _aтвердые тела | ||
653 | _aкремний | ||
653 | _aарсенид галлия | ||
653 | _aинтегральные микросхемы биполярные | ||
653 | _aМДП-транзисторы | ||
653 | _aМДП интегральные микросхемы | ||
653 | _aрадиационная стойкость | ||
653 | _aпроникающие излучения | ||
653 | _aлегирование полупроводников ядерное | ||
653 | _aдиффузия в полупроводниках | ||
653 | _aтехнология полупроводниковых приборов | ||
653 | _aтехнология интегральных микросхем | ||
653 | _aлитография | ||
700 | 1 |
_aБогатырев, Юрий Владимирович. _9542141 |
|
700 | 1 |
_aВавилов, Владимир Алексеевич. _9542142 |
|
852 | 4 |
_aRU-ToGU _nru |
|
999 | _c519195 |