| 000 | 02517nam a2200481 i 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | vtls000231806 | ||
| 003 | RU-ToGU | ||
| 005 | 20220620103729.0 | ||
| 008 | 070613s2006 ru a f b 000 0 rus d | ||
| 020 | _a5898963030 | ||
| 035 | _ato000231806 | ||
| 040 |
_aRU-ToGU _brus _cRU-ToGU |
||
| 080 | _a548.734:548.4 | ||
| 080 | _a548.4:621.515.5 | ||
| 100 | 1 |
_aДанильчук, Леонид Нестерович. _9281442 |
|
| 245 | 1 | 0 |
_aРентгеновская дифракционная топография дефектов в кристалах на основе эффекта Бормана _cЛ. Н. Данильчук, А. О. Окунев, В. А. Ткаль ; Новгородский гос. ун-т им. Ярослава Мудрого |
| 260 |
_aВеликий
Новгород _b[б. и.] _c2006 |
||
| 300 |
_a493 с. _bил. |
||
| 504 | _aБиблиогр.: с. 464-493 | ||
| 653 | _aБормана эффект | ||
| 653 | _aрентгенотопографические изображения | ||
| 653 | _aдефекты кристаллов | ||
| 653 | _aдефекты монокристаллов | ||
| 653 | _aцифровая обработка изображений | ||
| 653 | _aполяризационно-оптические изображения | ||
| 653 | _aаппаратно-программное обеспечение | ||
| 653 | _aфильтрация изображений | ||
| 653 | _aвейвлет-анализ | ||
| 653 | _aмакрополя деформаций | ||
| 653 | _aмикродефекты кристаллов | ||
| 653 | _aмонокристаллы полупроводников | ||
| 653 | _aдислокационные структуры | ||
| 653 | _aдефекты упаковки в монокристаллах | ||
| 653 | _aэпитаксиальные слои германия | ||
| 653 | _aэпитаксиальные слои кремния | ||
| 653 | _aэпитаксиальный рост кристаллов | ||
| 653 | _aпроизводство интегральных микросхем | ||
| 653 | _aпроизводство полупроводниковых приборов | ||
| 700 | 1 |
_aОкунев, Алексей Олегович. _9116058 |
|
| 700 | 1 |
_aТкаль, Валерий Алексеевич. _9281443 |
|
| 852 | 4 |
_aRU-ToGU _nru |
|
| 999 | _c508971 | ||