000			02610nam a2200505 i 4500
001			vtls000555916
003			RU-ToGU
005			20210909185838.0
008			170202s1989 ru a f b 000 0 rus d
020			_a5020286133
035			_a(RuMoRKP)ru89-16059
035			_a(RuMoRGB)001460760
040			_aRKP _brus _ePSBO _dRU-ToGU
041	0		_arus
080			_a548.55:539.1.04
084			_a29.19 _2rugasnti
084			_a16.4.11 _2rueskl
100	1		_aБайер, Владимир Николаевич _9532245
245	1	0	_aЭлектромагнитные процессы при высокой энергии в ориентированных монокристаллах _cВ. Н. Байер, В. М. Катков, В. М. Страховенко ; отв. ред. А. Н. Скринский ; Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т ядер. физики
260			_aНовосибирск _bНаука _c1989
300			_a395, [5] с. _bил., табл.
504			_aБиблиогр.: с. 388-396
653			_aэлементарные частицы при высоких энергиях (физ.)
653			_aмонокристаллы ориентированные
653			_aдействие ионизирующих излучений
653			_aрассеяние элементарных частиц в кристаллах
653			_aканалирование кристаллов
653			_aдеканалирование кристаллов
653			_aизлучение электронов
653			_aизлучение позитронов
653			_aрождение пар частиц
653			_aфотоны
653			_aэлектроны
653			_aнейтрино
653			_aтеория излучения
653			_aмагнитотормозное излучение
653			_aтормозное излучение когерентное
653			_aтеория электромагнитных процессов
653			_aтеория лазеров на свободных электронах
700	1		_aКатков, Валерий Михайлович _9532246
700	1		_aСтраховенко, Владимир Моисеевич _9532247
700	1		_aСкринский, Александр Николаевич _d1936- _4edt _9101661
852	4		_aRU-ToGU _nru
999			_c506000