| 000 | 02402nam a2200397 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | vtls000451143 | ||
| 003 | RU-ToGU | ||
| 005 | 20210922121851.0 | ||
| 008 | 130529s1983 ru a f bm 000 0 rus d | ||
| 035 | _ato000451143 | ||
| 040 |
_aRU-ToGU _brus _cRU-ToGU |
||
| 072 | 7 |
_a01.04.10 _2nsnr |
|
| 080 | _a537.311.322:538.971(043.3) | ||
| 080 | _a621.315.592.3:620.186.4(043.3) | ||
| 100 | 1 |
_aЛастовка, Владимир Викторович _9123526 |
|
| 245 | 1 | 0 |
_aИсследование электрических и оптических свойств ZnSe, ионно-легированного In+ и As+ и излучающих структур на его основе _bдиссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 _cЛастовка Владимир Викторович ; науч. рук. Котляревский М. Б., Носков Д. А. ; Том. ин-т автоматизированных систем управления и радиоэлектроники |
| 260 |
_aТомск _b[б. и.] _c1983 |
||
| 300 |
_a132 л. _bил. |
||
| 504 | _aБиблиогр.: л. 122-132 | ||
| 650 | 7 |
_aФизика полупроводников и диэлектриков _2nsnr _956418 |
|
| 653 | _aдиссертации | ||
| 653 | _aполупроводниковые материалы | ||
| 653 | _aдефектообразование | ||
| 653 | _aионная имплантация полупроводников | ||
| 653 | _aполупроводники селенидцинковые | ||
| 653 | _aполупроводники легированные | ||
| 653 | _aполупроводники широкозонные | ||
| 653 | _ap-n переходы имплантационные | ||
| 653 | _aэлектролюминесценция инжекционная | ||
| 653 | _aШоттки барьер | ||
| 700 | 1 |
_aКотляревский, Марк Борисович _4ths _9335862 |
|
| 700 | 1 |
_aНосков, Д. А. _4ths _9524796 |
|
| 710 | 2 |
_aТомский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники _983139 |
|
| 852 | 4 |
_aRU-ToGU _nru |
|
| 999 | _c505806 | ||