| 000 | 02850nam a2200625 i 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | vtls000215857 | ||
| 003 | RU-ToGU | ||
| 005 | 20230215101510.0 | ||
| 008 | 120827s2006 ru a f b 000 0 rus | ||
| 017 |
_a06-6254 _bRuMoRKP |
||
| 020 | _a5948360393 | ||
| 035 | _a(RU-RKP)ru06-016479RKP | ||
| 040 |
_aRuMoRKP _brus _cRU-RKP _dRU-ToGU |
||
| 041 | 0 | _arus | |
| 080 | _a621.315.592-034 | ||
| 080 | _a621.793.3 | ||
| 084 |
_a32.85 _2rubbkm |
||
| 100 | 1 |
_aКиреев, Валерий Юрьевич _9441935 |
|
| 245 | 1 | 0 |
_aТехнологии микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы _cВ. Киреев, А. Столяров |
| 260 |
_aМосква _bТехносфера _c2006 |
||
| 300 |
_a190, [1] с. _bил. _c22 см. |
||
| 490 | 1 | 0 |
_aМир электроники _vVII-17 |
| 504 | _aБиблиогр.: с. 188-190 | ||
| 650 | 7 |
_aМеталлы _xОсаждение из газовой фазы _2RuMoRKP _9524547 |
|
| 650 | 7 |
_aМикроэлектронные схемы интегральные _xПроизводство _2RuMoRKP _9515645 |
|
| 653 | _aполупроводниковые пленки | ||
| 653 | _aтермоактивированные процессы | ||
| 653 | _aплазмоактивированные процессы | ||
| 653 | _aэпитаксиальные монокристаллические пленки | ||
| 653 | _aкремний | ||
| 653 | _aгерманий | ||
| 653 | _aполупроводниковые гетероструктуры | ||
| 653 | _aполикремний легированный | ||
| 653 | _aполикремний нелегированный | ||
| 653 | _aкремний аморфный | ||
| 653 | _aстекла силикатные | ||
| 653 | _aнитрид кремния | ||
| 653 | _aоксинитрид кремния | ||
| 653 | _aдиэлектрические пленки | ||
| 653 | _aдиэлектрические постоянные | ||
| 653 | _aвольфрам | ||
| 653 | _aтитан | ||
| 653 | _aтантал | ||
| 653 | _aалюминий | ||
| 653 | _aмедь | ||
| 653 | _aфоторезисторы кремнеорганические | ||
| 653 | _aмикроструктуры | ||
| 653 | _aинтегральные микросхемы | ||
| 653 | _aтехнология производства микросхем | ||
| 700 | 1 |
_aСтоляров, Александр Александрович _9524548 |
|
| 830 |
_aМир электроники _9151446 |
||
| 852 | 4 |
_aRU-ToGU _h621.3 _iК43 _nru |
|
| 920 |
_a5-94836-039-3 _bв пер. _91500 экз. |
||
| 999 | _c497502 | ||