000			03186nam a2200613 a4500
001			vtls000223791
005			20210924124036.0
007			cr |
008			151214s2006 ru a fsb 100 0 rus d
035			_ato000223791
040			_aRU-ToGU _brus _cRU-ToGU _ePSBO
080			_a537.311.322:546.681'191.1(063)
080			_a621.315.592:546.681'191.1(063)
111	2		_a"Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", конференция _n9 _d2006 _cТомск _9522040
245	1	0	_aДевятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V"(3-5 октября 2006 г., Томск, Россия) _bматериалы конференции _cТом. гос. ун-т,
246	1	1	_aNinth conference "Gallium arsenide and III-V group related compounds". 3-5 October, 2006, Tomsk, Russia. "GaAs - 2006"
260			_aТомск _b[Том. гос. ун-т] _c2006
300			_a571, [1] с. _bил.
504			_aБиблиогр. в конце докл.
653			_aарсенид галлия
653			_aэпитаксиальные слои
653			_aполупроводниковые материалы
653			_aполупроводниковые приборы
653			_aполупроводниковые структуры многослойные
653			_aполупроводниковые структуры низкоразмерные
653			_aфизика поверхности
653			_aэпитаксиальные пленки
653			_aмонокристаллы
653			_aмикроструктуры
653			_aнаноструктуры
653			_aрост кристаллов
653			_aдефекты кристаллов
653			_aфазовые превращения
653			_aгетеропереходы
653			_aполупроводниковые гетероструктуры
653			_aтонкие пленки
653			_aсверхрешетки полупроводниковые
653			_aквантовые ямы
653			_aнанооболочки
653			_aгетеронаноструктуры
653			_aнанотрубки однослойные
653			_aтвердотельные электронные устройства
653			_aоптоэлектронные приборы
653			_aдетекторы излучений
653			_aполупроводниковые сенсоры
653			_aрадиационное модифицирование полупроводников
653			_aрадиационное легирование полупроводников
655		4	_aсборники _9710254
852	4		_aRU-ToGU _nru
856	7		_uhttp://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000223791
942			_2udc
999			_c494979