000 02235nam a2200457 4500
001 vtls000105101
003 RU-ToGU
005 20220601144931.0
008 010620s1990 ru a f b 000 0 rus d
035 _a0108-53060
040 _aRU-ToGU
_brus
_cRU-ToGU
_ePSBO
080 _a621.315.592
100 1 _aВойцеховский, Александр Васильевич.
_964789
245 1 0 _aФотоэлектрические МДП- структуры из узкозонных полупроводников
_cА. В. Войцеховский, В. Н. Давыдов
260 _aТомск
_bРадио и связь
_c1990
300 _a327 с.
504 _aБиблиогр.: с. 307-325
653 _aполупроводниковые соединения.
653 _aМДП-приборы.
653 _aприемники ИК-спектра.
653 _aэлементная база.
653 _aфотоэлектронные приборы.
653 _aэлектрофизические характеристики.
653 _aфотоэлектрические характеристики.
653 _aгенерационно-рекомбинационные характеристики.
653 _aэнергетическая структура.
653 _aповерхностные состояния.
653 _aграницы раздела.
653 _aионизирующая радиация.
653 _aоптическое излучение.
653 _aэлектрические поля.
653 _aмагнитные поля.
653 _aвнешние воздействия.
653 _aфотоприемные устройства дискретные.
653 _aфотоприемные устройства многоэлементные.
653 _aэкспериментальные исследования.
653 _aдиэлектрик-полупроводник.
700 1 _aДавыдов, Валерий Николаевич
_9495627
852 4 _aRU-ToGU
_h621.3
_iВ658
_nru
999 _c483892