000 | 02235nam a2200457 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | vtls000105101 | ||
003 | RU-ToGU | ||
005 | 20220601144931.0 | ||
008 | 010620s1990 ru a f b 000 0 rus d | ||
035 | _a0108-53060 | ||
040 |
_aRU-ToGU _brus _cRU-ToGU _ePSBO |
||
080 | _a621.315.592 | ||
100 | 1 |
_aВойцеховский, Александр Васильевич. _964789 |
|
245 | 1 | 0 |
_aФотоэлектрические МДП- структуры из узкозонных полупроводников _cА. В. Войцеховский, В. Н. Давыдов |
260 |
_aТомск _bРадио и связь _c1990 |
||
300 | _a327 с. | ||
504 | _aБиблиогр.: с. 307-325 | ||
653 | _aполупроводниковые соединения. | ||
653 | _aМДП-приборы. | ||
653 | _aприемники ИК-спектра. | ||
653 | _aэлементная база. | ||
653 | _aфотоэлектронные приборы. | ||
653 | _aэлектрофизические характеристики. | ||
653 | _aфотоэлектрические характеристики. | ||
653 | _aгенерационно-рекомбинационные характеристики. | ||
653 | _aэнергетическая структура. | ||
653 | _aповерхностные состояния. | ||
653 | _aграницы раздела. | ||
653 | _aионизирующая радиация. | ||
653 | _aоптическое излучение. | ||
653 | _aэлектрические поля. | ||
653 | _aмагнитные поля. | ||
653 | _aвнешние воздействия. | ||
653 | _aфотоприемные устройства дискретные. | ||
653 | _aфотоприемные устройства многоэлементные. | ||
653 | _aэкспериментальные исследования. | ||
653 | _aдиэлектрик-полупроводник. | ||
700 | 1 |
_aДавыдов, Валерий Николаевич _9495627 |
|
852 | 4 |
_aRU-ToGU _h621.3 _iВ658 _nru |
|
999 | _c483892 |