000 02677nab a2200337 c 4500
001 vtls000721546
003 RU-ToGU
005 20230126151550.0
007 cr |
008 200605|2018 ru s c rus d
035 _ato000721546
040 _aRU-ToGU
_brus
_cRU-ToGU
245 1 0 _aДефектоскопия монокристаллов ZnGeP2 излучением лазера на парах стронция
_cА. И. Грибенюков, С. Н. Подзывалов, А. Н. Солдатов [и др.]
520 3 _aОписан модифицированный метод оптический дефектоскопии монокристаллических пластин ZnGeP2 с использованием излучения лазера на парах стронция (λ = 1.03 и 1.09 мкм), основанный на получении теневой картины внутренних дефектов пластин, вырезанных параллельно плоскости (100). Показано, что применение излучения лазера на парах стронция с длиной волны 6.45 мкм позволяет исследовать неоднородности в крупноразмерных образцах ZnGeP2. Рассмотрена возможность создания проекционного дефектоскопа для мониторинга развития процесса пробоя монокристалла ZnGeP2.
653 _aлазеры на самоограниченных переходах
653 _aдефектоскопы
653 _aмонокристаллы
655 4 _aстатьи в журналах
_9745982
700 1 _aПодзывалов, Сергей Николаевич
_9567774
700 1 _aСолдатов, Анатолий Николаевич
_961604
700 1 _aШумейко, Алексей Семенович
_994242
700 1 _aЮдин, Николай Александрович
_961602
700 1 _aЮдин, Николай Николаевич
_9350581
700 1 _aЮрин, Владимир Юрьевич
_9239123
700 1 _aГрибенюков, Александр Иванович
_9379319
773 0 _tКвантовая электроника
_d2018
_gТ. 48, № 5. С. 491-494
_x0368-7147
_w0029-20060
852 4 _aRU-ToGU
856 4 _uhttp://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000721546
908 _aстатья
999 _c467997