000			02514nab a2200337 c 4500
001			vtls000674939
003			RU-ToGU
005			20210922104112.0
007			cr |
008			200207|2019 ru s c rus d
024	7		_a10.17223/00213411/62/9/106 _2doi
035			_ato000674939
040			_aRU-ToGU _brus _cRU-ToGU
245	1	0	_aОсобенности радиационных изменений электрических свойств INALN/GAN HEMT _cА. Г. Афонин, В. Н. Брудный, П. А. Брудный, Л. Э. Великовский
504			_aБиблиогр.: 56 назв.
506			_aОграниченный доступ
520	3		_aПроанализировано влияние облучения протонами, электронами, гамма-лучами и быстрыми нейтронами на параметры InAlN/GaN HEMT-структур. Рассмотрены особенности исходных электронных свойств барьерных слоев InAlN и AlGaN при изменении их состава, а также изменение этих свойств при воздействии высокоэнергетической радиации с учетом композиционной зависимости энергетического положения уровня зарядовой нейтральности в энергическом спектре барьерных слоев.
653			_aтранзисторы с высокой подвижностью электронов
653			_aрадиационная стойкость
653			_aуровень зарядовой нейтральности
655		4	_aстатьи в журналах _9745982
700	1		_aБрудный, Валентин Натанович _972071
700	1		_aБрудный, Павел Александрович _9229200
700	1		_aВеликовский, Леонид Эдуардович _9498152
700	1		_aАфонин, Антон Геннадьевич _982354
773	0		_tИзвестия высших учебных заведений. Физика _d2019 _gТ. 62, № 9. С. 106-112 _x0021-3411 _w0026-80960
852	4		_aRU-ToGU
856	4		_uhttp://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000674939
908			_aстатья
999			_c464062