000 | 03146nam a2200541 i 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | vtls000653348 | ||
003 | RU-ToGU | ||
005 | 20210922102236.0 | ||
008 | 190506s2018 ru a f b 000 0 rus|d | ||
020 | _a9785907036307 | ||
024 | 7 | _adoi: 10.31857/S9785907036307000001 | |
035 | _ato000653348 | ||
040 |
_aRuMoRGB _brus _ercr _dRU-ToGU |
||
041 | 0 | _arus | |
044 | _aru | ||
080 | _a621.314.632:621.382(082) | ||
080 | _a537.311.322:621.314.632(082) | ||
084 |
_aЗ264.54-01с3,0 _2rubbk |
||
084 |
_aВ379.2,0 _2rubbk |
||
245 | 1 | 0 |
_aФизика полупроводниковых преобразователей _b[коллективная монография] _c[Сауров А. Н., Булярский С. В., Грушко Н. С. и др.] ; под ред. А. Н. Саурова, С. В. Булярского ; Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук |
260 |
_aМосква _bРАН _c2018 |
||
300 |
_a276 с. _bил., табл. |
||
500 | _aАвт. указаны в содерж. | ||
504 | _aБиблиогр. в конце гл. | ||
653 | _aпреобразователи полупроводниковые, теория | ||
653 | _aфизика полупроводников | ||
653 | _aэлектрические токи обратные | ||
653 | _ap-n переходы | ||
653 | _aШоттки диоды | ||
653 | _aэлектрические заряды пространственные полупроводников, носители | ||
653 | _aэлектрические заряды пространственные полупроводников, перенос | ||
653 | _aэлектронные состояния | ||
653 | _aспектроскопия рекомбинационная | ||
653 | _aэлектрон-фононное взаимодействие | ||
653 | _aэлектрические поля сильные, кинетические коэффициенты | ||
653 | _aпреобразователи полупроводниковые рентгеновского излучения | ||
653 | _ap-i-n диоды кремниевые | ||
653 | _aпреобразователи полупроводниковые бета-излучения | ||
653 | _aдетекторы частиц высоких энергий на основе германия | ||
653 | _aгерманий, легирование литием | ||
653 | _aварикапы сверхвысокочастотные | ||
653 | _aсветодиоды арсенидгаллиевые | ||
700 | 1 |
_aСауров, Александр Николаевич _9495333 |
|
700 | 1 |
_aБулярский, Сергей Викторович _9129870 |
|
700 | 1 |
_aГрушко, Наталия Сергеевна _9495334 |
|
852 | 4 |
_aRU-ToGU _nru |
|
999 | _c454728 |