000			02943naa a2200373 c 4500
001			vtls000627424
003			RU-ToGU
005			20230131165654.0
007			cr |
008			180521s2017 ru fs 100 0 rus d
035			_ato000627424
040			_aRU-ToGU _brus _cRU-ToGU
100	1		_aЛозовой, Кирилл Александрович _990985
245	1	0	_aРасчет критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в материальной системе GeSi/Sn/Si _cК. А. Лозовой, А. П. Коханенко, А. В. Войцеховский
246	1	1	_aCalculation of а critical thickness of Stranski-Krastanow transition in GeSi/Sn/Si system
504			_aБиблиогр.: 18 назв.
520	3		_aВ работе рассматривается рост по механизму Странского-Крастанова эпитаксиальных слоев Gех;(Si1-х. на поверхности Si(lOO) с предварительно нанесенным слоем олова. Для расчета критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту в этой системе предлагается теоретическая модель, основанная на общей теории нуклеации островков, учитывающая зависимости модуля упругости, рассогласования решеток и удельной поверхностной энергии боковых граней от состава х, а также изменение коэффициента диффузии адатомов в присутствии олова.
653			_aквантовые точки
653			_aкремний
653			_aгерманий
653			_aолово
653			_aнаногетероструктуры
653			_aмолекулярно-лучевая эпитаксия
653			_aСтранского-Крастанова переход
653			_aкритическая толщина
655		4	_aстатьи в сборниках _9713576
700	1		_aКоханенко, Андрей Павлович _965555
700	1		_aВойцеховский, Александр Васильевич _964789
773	0		_tАктуальные проблемы радиофизики : VII Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 18-22 сентября 2017 г. : сборник трудов _dТомск, 2017 _gС. 257-260 _z9785936296062
852	4		_aRU-ToGU
856	7		_uhttp://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000627424
908			_aстатья
999			_c433902