000 02762nab a2200313 c 4500
001 vtls000619097
003 RU-ToGU
005 20210922093416.0
007 cr |
008 180111|2017 ru s c rus d
024 7 _a10.17223/19988621/50/7
_2doi
035 _ato000619097
040 _aRU-ToGU
_brus
_cRU-ToGU
100 1 _aЛяхов, Анатолий Александрович
_9479652
245 1 0 _aЧисленный анализ кинетики химических реакций в аргон-силановой плазме тлеющего разряда
_cА. А. Ляхов, В. И. Струнин
246 1 1 _aNumerical analysis of the kinetics of chemical reactions in an argon-silane plasma of the glow discharge
504 _aБиблиогр.: 9 назв.
520 3 _aПутем численного решения уравнений диффузии для нейтральных компонентов с учетом протекания химических реакций в газовой фазе проведено моделирование состава аргон-силановой плазмы тлеющего разряда. Анализируется вклад наиболее значимых химических реакций в кинетику образования и гибели различных компонентов плазмы. Исследуется кинетика реагентов в зависимости от времени пребывания рабочего газа в разрядной зоне. Обсуждается вопрос о количестве компонентов, включаемых в модель. Показано, что для интервалов времени t ≤ 10−2 с компоненты SinHx (n ≥ 3) не существенны для моделирования химической кинетики пленкообразующих радикалов.
653 _aсилановая плазма
653 _aпроцессы переноса в химически активной плазме
653 _aаморфный кремний
655 4 _aстатьи в журналах
_9745982
700 1 _aСтрунин, Владимир Иванович
_9382261
773 0 _tВестник Томского государственного университета. Математика и механика
_d2017
_g№ 50. С. 79-89
_x1998-8621
_w0210-41660
852 4 _aRU-ToGU
856 7 _uhttp://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000619097
908 _aстатья
999 _c430308