000 01084naa a2200241 c 4500
001 vtls000581179
003 RU-ToGU
005 20210405093121.0
008 170831s2001 ru a f 000 0 rus d
035 _ato000581179
040 _aRU-ToGU
_brus
_cRU-ToGU
100 1 _aЕршов, Е. В.
_9293193
245 1 0 _aПлотность электронных состояний и степень направленности межатомных связей в соединениях Ni3X (X=AL, Ga, Si, Ge)
_cЕ. В. Ершов
504 _aБиблиогр.: 3 назв.
653 _aфизика металлов
653 _aплотность электронных состояний
653 _aтруды ученых ТГУ
653 _aмежатомные связи
773 0 _tСовременные проблемы физики и технологии : (сборник статей молодых ученых)
_dТомск, 2001
_gС. 24-27
_z5751114310
_w0163-67660
852 _aRU-ToGU
908 _aстатья
999 _c425538