000			03201nab a2200373 c 4500
001			vtls000577393
003			RU-ToGU
005			20220906113352.0
007			cr |
008			170613|2015 ru s c rus d
035			_ato000577393
040			_aRU-ToGU _brus _cRU-ToGU
245	1	0	_aТемпературная зависимость квантового выхода светодиодных структур InGaN/GaN при высокой плотности тока _cИ. А. Прудаев, В. В. Копьев, И. С. Романов, В. Н. Брудный
504			_aБиблиогр.: 10 назв.
520	3		_aПредставлены результаты исследования температурной зависимости квантового выхода светодиодных структур «синего» диапазона длин волн на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN при различной силе прямого тока. Установлено, что в области высоких плотностей тока наблюдается увеличение квантового выхода при росте температуры. Моделирование зависимостей квантового выхода светодиодных структур от силы проте- кающего тока показало, что при учете баллистического и прыжкового транспорта носителей заряда в активной области структуры расчетные и экспериментальные зависимости согласуются. Показано, что уменьшение тол- щины активной области структуры приводит к ослаблению зависимости квантового выхода от температуры при высокой плотности тока.
653			_aнитрид галлия
653			_aмножественные квантовые ямы
653			_aносители заряда
653			_aсветодиоды
653			_aквантовая эффективность
653			_aтемпературная зависимость
653			_aбаллистический транспорт
653			_aплотность тока
655		4	_aстатьи в журналах _9681159
700	1		_aПрудаев, Илья Анатольевич _981475
700	1		_aРоманов, Иван Сергеевич _988038
700	1		_aБрудный, Валентин Натанович _972071
700	1		_aКопьев, Виктор Васильевич _992396
773	0		_tИзвестия высших учебных заведений. Физика _d2015 _gТ. 58, № 5. С. 53-56 _x0021-3411 _w0026-80960
852	4		_aRU-ToGU
856	7		_uhttp://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000577393
908			_aстатья
999			_c421255