| 000 | 02733nab a2200313 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | vtls000547241 | ||
| 003 | RU-ToGU | ||
| 005 | 20230131165658.0 | ||
| 007 | cr | | ||
| 008 | 170613|2015 ru s c rus d | ||
| 035 | _ato000547241 | ||
| 040 |
_aRU-ToGU _brus _cRU-ToGU |
||
| 100 | 1 |
_aЛозовой, Кирилл Александрович _990985 |
|
| 245 | 1 | 0 |
_aМоделирование роста квантовых точек Ge на Si с учетом энергии образования дополнительных ребер и зависимости удельной поверхностной энергии от количества осажденного Ge _cК. А. Лозовой, А. П. Коханенко, А. В. Войцеховский |
| 504 | _aБиблиогр.: 14 назв. | ||
| 520 | 3 | _aВ работе описывается кинетическая модель роста квантовых точек германия на кремнии по механизму Странского–Крастанова, учитывающая зависимость удельной поверхностной энергии граней пирамиды от толщины смачивающего слоя германия и вклад энергии образования дополнительных ребер в изменение свободной энергии при формировании квантовой точки. Рассчитываются функция свободной энергии при переходе атомов из смачивающего слоя в островок, критическая толщина перехода от двумерного к трехмерному росту, поверхностная плотность и функция распределения островков по размерам. | |
| 653 | _aгерманий | ||
| 653 | _aкремний | ||
| 653 | _aквантовые точки | ||
| 653 | _aмолекулярно-лучевая эпитаксия | ||
| 655 | 4 |
_aстатьи в журналах _9681159 |
|
| 700 | 1 |
_aКоханенко, Андрей Павлович _965555 |
|
| 700 | 1 |
_aВойцеховский, Александр Васильевич _964789 |
|
| 773 | 0 |
_tИзвестия высших учебных заведений. Физика _d2015 _gТ. 58, № 8/3. С. 231-234 _x0021-3411 _w0026-80960 |
|
| 852 | 4 | _aRU-ToGU | |
| 856 | 7 | _uhttp://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000547241 | |
| 908 | _aстатья | ||
| 999 | _c405130 | ||