| 000 | 01305nam a2200241 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | vtls000524751 | ||
| 003 | RU-ToGU | ||
| 005 | 20220620084505.0 | ||
| 008 | 160220s1977 tk f bm 000 0 rus d | ||
| 035 | _ato000524751 | ||
| 040 |
_aRU-ToGU _brus _cRU-ToGU |
||
| 072 | 7 |
_a01.04.01 _2nsnr |
|
| 100 | 1 |
_aХайдаров, Пайгамберкулы _9436650 |
|
| 245 | 1 | 0 |
_aЭлектрические и фотоэлектрические свойства GaP p-n переходов и оценка перспектив их практического применения _bавтореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.01 _cХайдаров Пайгамберкулы |
| 260 |
_aАшхабад _b[б. и.] _c1977 |
||
| 300 | _a17 с. | ||
| 500 | _aДиссертация написана на русском языке | ||
| 504 | _aБиблиогр.: с. 15-17 | ||
| 650 | 7 |
_aЭкспериментальная физика (физика полупроводников) _2nsnr _9120730 |
|
| 653 | _aавторефераты диссертаций | ||
| 852 | 4 |
_aRU-ToGU _nru |
|
| 999 | _c385609 | ||